产品介绍：
霍尔效应是电磁学中的重要实验，霍尔效应可测定材料的载流子浓度及载流子迁移率等参数，判断材料的导电类型，是研究半导体材料的重要指标。霍尔效应可测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转化成交流电流并对它进行调制、放大。应用霍尔效传感器用于磁场、位置、位移、转速的测量等。
霍尔效应实验仪可用于了解霍尔效应的原理、学会用霍尔效应测量磁场。
仪器实验样品是砷化镓（GaAs）霍尔元件，N型半导体材料，工作电流为3mA-6mA。
电磁铁气隙4mm，MAX磁感应强度约500mT。
实验内容：
1.测量霍尔电流IH与霍尔电压UH的关系；
2.测量霍尔元件的灵敏度KH；
3.测量磁化曲线(或测量励磁电流IM与B的关系)；
4.测量电磁铁磁场沿水平方向的分布。
技术参数：
实验样品：砷化镓（GaAs）霍尔和硅（Si）霍尔两种
电磁铁磁感应强度：＞450mT/A
恒流源2：0~19.99mA
恒流源1：0~1000mA
电磁铁气隙：4mm
电压表量程：0~±199.99mV
