实验项目:
1.通过CCD光谱仪观测半导体激光器的光谱曲线;
2.测量半导体激光器的功率、电流、电压等参数;
3.学习阈值、发散角、偏振度等光学特征。
技术参数:
实验装置是由半导体激光器、光学多通道光栅光谱仪、光功率测量仪、旋转台、偏振组件、聚焦镜、升降台等组成;
半导体光源中心波长:650nm,输出功<5mW,电流可调;
光功率测量仪:200uW、2mW、20mW、200mW五档可调,三位半数显;
光学多通道光栅光谱仪波长范围:300-900nm,波长精度≤±0.4nm,波长重复性≤0.2nm,分辨率≤0.2nm;
探测器:响应波长400-1100nm
